ВЧ компоненты: GaAs

	Продукция
	Документация
	Каталог
	Применение

Продукция

GaAs: Low Noise GaAs HEMT

Тип	Скачать	Noise Figure (dB)	Associated Gain (dB)	Частота (ГГц)	Drain-Source Voltage (V)	Drain Current (mA)	S парам.	Прим.
MGF4921AM		0.35(тип.) 0.55(мак.)	11.5(мин.) 13.0(тип.)	4.0	2.0	15.0		G
MGF4931AM		0.6(тип.) 0.8(мак.)	10.0(мин.) 11.5(тип.)	12.0	2.0	7.5		G
MGF4934BM		0.50(тип.) 0.8(мак.)	11.5(мин.) 12.5(тип.)	12.0	2.0	10.0		G
MGF4934CM		0.50(тип.) 0.75(мак.)	11.5(мин.) 13.0(тип.)	12.0	2.0	10.0		G
MGF4935AM		0.45(тип.) 0.65(мак.)	11.0(мин.) 12.0(тип.)	12.0	2.0	10.0		G
MGF4941AL		0.35(тип.) 0.5(мак.)	12.0(мин.) 13.5(тип.)	12.0	2.0	10.0		G
MGF4953A		0.4(тип.) 0.5(мак.)	12.0(мин.) 13.0(тип.)	12.0	2.0	10.0		G
MGF4953B		0.55(тип.) 0.8(мак.)	9.0(мин.) 10.5(тип.)	20.0	2.0	10.0		G
MGF4963BL		0.70(тип.) 0.95(мак.)	11.0(мин.) 13.5(тип.)	20.0	2.0	10.0		G

GaAs: High Power GaAs FET and Small Signal Gain Stage

Тип	Скачать	Output Power at 1dB Gain Compression (dBm)	Po (dBm)	Linear Power Gain (dB)	3rd Order IM Distortion (dBc)	Power Added Efficiency (%)	Частота (ГГц)	Drain-Source Voltage (V)	Drain Current (A)	Inverter cir thermal resistance (Cel/W)	S парам.	Прим.
MGF0805A		-	35.0 (мин.)	13.0 (мин.)	-	50.0	1.9	10.0	0.4	-		G
MGF0840G		-	39.0 (мин.) 40.0(тип.)	13.0(мин.) 14.0(тип.)	-	55.0	2.6	47.0	0.09	6.8(тип.) 9.7(мак.)		G
MGF0843G		-	42.0(мин.) 43.0(тип.)	12.0(мин.) 13.0(тип.)	-	55.0	2.6	47.0	0.17	3.9(тип.) 5.3(мак.)		G
MGF0846G		-	45.0(мин.) 46.0(тип.)	11.0(мин.) 12.0(тип.)	-	55.0	2.6	47.0	0.34	2.5(тип.) 3.2(мак.)		G
MGF0904A		-	26.0(мин.)	11.0(мин.)	-	40.0	1.65	8.0	0.2	-		G
MGF0905A		-	33.0(мин.)	7.0(мин.)	-	40.0	1.65	8.0	0.8	-		G
MGF0906B		35.5(мин.) 37.0(тип.)	-	10.0(мин.)	-	40.0	2.3	10.0	1.2	6.5(мак.)		G
MGF0907B		38.5(мин.) 40.0(тип.)	-	8.0(мин.)	-	37.0	2.3	10.0	2.4	4.0(мак.)		G
MGF0909A		37.0(мин.) 38.0(тип.)	-	10.0(мин.)	-	45.0	2.3	10.0	1.3	-		G
MGF0910A		37.0(мин.) 38.0(тип.)	-	10.0(мин.)	-	37.0	2.3	10.0	1.3	6.0(мак.)		G
MGF0911A		40.0(мин.) 41.0(тип.)	40.0(мин.)	10.0(мин.)	-	40.0	2.3	10.0	2.6	4.5(мак.)		G
MGF0913A		-	29.5(мин.)	11.0(мин.)	-	48.0	1.9	10.0	0.2	20.0(тип.) 30.0(мак.)		G
MGF0915A		-	35.0(мин.)	13.0(мин.)	-	50.0	1.9	10.0	0.8	5.0(тип.) 8.0(мак.)		G
MGF0918A		-	25.0(мин.)	18.0(мин.)	-	45.0	1.9	10.0	0.15	35.0(тип.) 50.0(мак.)		G
MGF0920A		-	30.0(мин.)	16.0(мин.)	-	45.0	1.9	10.0	0.4	13.0(тип.) 18.0(мак.)		G
MGF0921A		-	31.0(мин.)	15.0(мин.)	-	40.0	1.9	10.0	0.5	11.0(тип.) 15.0(мак.)		G
MGF0951P		-	29.5(мин.)	11.0(мин.)	-42.0	50.0	2.15	10.0	0.2	20.0(тип.) 25.0(мак.)		G
MGF0952P		-	35.0(мин.)	11.0(мин.)	-42.0	50.0	2.15	10.0	0.7	5.0(тип.) 6.0(мак.)		G
MGF0953P		-	26.0(мин.)	16.5(мин.)	-42.0	50.0	2.15	10.0	0.15	14.0(тип.) 20.0(мак.)		G
MGF1451A		11.0(мин.) 13.0(тип.)	-	9.0(мин.)	-	-	12	3.0	0.03	-		G
MGF1951A		11.0(мин.) 13.0(тип.)	-	7.0(мин.)	-	-	12	3.0	0.03	-		G
MGF1952A		15.0(мин.) 17.0(тип.)	-	5.0(мин.)	-	-	12	3.0	0.06	-		G
MGF1953A		18.0(мин.) 20.0(тип.)	-	4.0(мин.)	-	-	12	4.0	0.1	-		G
MGF1954A		21.0(мин.) 23.0(тип.)	-	3.0(мин.)	-	-	12	6.0	0.1	-		G
MGF2407A		23.0(мин.) 24.5(тип.)	-	7.0(мин.)	-	30.0	14.5	10.0	0.075	100.0(мак.)		G
MGF2415A		26.0(мин.) 27.5(тип.)	-	6.5(мин.)	-	29.0	14.5	10.0	0.15	60.0(мак.)		G
MGF2430A		29.0(мин.) 30.5(тип.)	-	5.5(мин.)	-	27.0	14.5	10.0	0.3	30.0(мак.)		G
MGF2445A		31.0(мин.) 32.0(тип.)	-	5.5(мин.)	-	20.0	12	10.0	0.45	15.0(мак.)		G
MGF4851A		12.0(мин.) 14.5(тип.)	-	9.0(мин.)	-	-	12	2.5	0.025	-		G

GaAs: L/S Band Internally Matched Power GaAs FET

Тип

Скачать

Output Power at 1dB Gain Compression (dBm)

Po (dBm)

Linear Power Gain (dB)

3rd Order IM Distortion (dBc)

Power Added Efficiency (%)

Частота (ГГц)

Drain-Source Voltage (V)

Drain Current (A)

Inverter cir thermal resistance (Cel/W)

S
парам.

Прим.

MGFS45B2527B

45.0

47.0(мин.)

12.0(мин.)

-45.0

45.0

2.5~2.7

12.0

0.9

1.1(тип.) 1.9(мак.)

MGFS45V2123A

44.0(мин.) 45.0(тип.)

11.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

45.0

2.1~2.3

10.0

6.5

1.5(мак.)

MGFS45V2325A

44.0(мин.) 45.0(тип.)

11.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

45.0

2.3~2.5

10.0

6.5

1.5(мак.)

MGFS45V2527A

44.0(мин.) 45.0(тип.)

11.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

45.0

2.5~2.7

10.0

6.5

1.5(мак.)

MGFS45V2735

44.0(мин.) 45.0(тип.)

11.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

36.0

2.7~3.5

10.0

8.0

0.8(тип.) 1.0(мак.)

GaAs: C Band Internally Matched Power GaAs FET

Тип

Скачать

Output Power at 1dB Gain Compression (dBm)

Po (dBm)

Linear Power Gain (dB)

3rd Order IM Distortion (dBc)

Power Added Efficiency (%)

Частота (ГГц)

Drain-Source Voltage (V)

Drain Current (A)

Inverter cir thermal resistance (Cel/W)

S
парам.

Прим.

MGFC36V3436

35.0(мин.) 37.0(тип.)

11.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

3.4~3.6

10.0

1.2

5.0(тип.) 6.0(мак.)

MGFC36V4450A

35.0(мин.) 37.0(тип.)

9.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

4.4~5.0

10.0

1.2

5.0(тип.) 6.0(мак.)

MGFC36V5258

35.0(мин.) 36.0(тип.)

9.0(мин.)

33.0

5.2~5.8

10.0

1.2

6.0(мак.)

MGFC36V5964A

35.0(мин.) 37.0(тип.)

9.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

30.0

5.9~6.4

10.0

1.2

5.0(тип.) 6.0(мак.)

MGFC36V6472A

35.0(мин.) 37.0(тип.)

8.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

30.0

6.4~7.2

10.0

1.2

5.0(тип.) 6.0(мак.)

MGFC36V7177A

35.0(мин.) 36.5(тип.)

8.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

30.0

7.1~7.7

10.0

1.2

5.0(тип.) 6.0(мак.)

MGFC39V3436

38.0(мин.) 39.5(тип.)

10.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

3.4~3.6

10.0

2.4

3.0(тип.) 3.5(мак.)

MGFC39V3742A

38.0(мин.) 39.5(тип.)

9.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

31.0

3.7~4.2

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC39V4450A

38.0(мин.) 39.0(тип.)

8.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

30.0

4.4~5.0

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC39V5258

38.0(мин.) 39.0(тип.)

8.0(мин.)

30.0

5.2~5.8

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC39V5964A

38.0(мин.) 39.5(тип.)

8.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

30.0

5.9~6.4

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC39V6472A

38.0(мин.) 39.5(тип.)

7.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

28.0

6.4~7.2

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC39V7177A

38.0(мин.) 39.5(тип.)

7.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

28.0

7.1~7.7

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC39V7785A

38.0(мин.) 39.5(тип.)

6.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

27.0

7.7~8.5

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC40V3742

39.5(мин.) 40.5(тип.)

9.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

3.7~4.2

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC40V4450

39.5(мин.) 40.5(тип.)

9.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

4.4~5.0

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC40V5258

39.5(мин.) 40.5(тип.)

8.0(мин.)

32.0

5.2~5.8

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC40V5964

39.5(мин.) 40.5(тип.)

8.0(мин.)

-42.0(мин.) -49.0(тип.)

30.0

5.9~6.4

10.0

2.4

3.0(тип.) 3.5(мак.)

MGFC40V6472

39.5(мин.) 40.5(тип.)

7.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

6.4~7.2

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC40V7177

39.0(мин.) 40.0(тип.)

7.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

7.1~7.7

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC40V7785

39.0(мин.) 40.0(тип.)

6.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

7.7~8.5

10.0

2.4

3.5(мак.)

MGFC42V3436

41.5(мин.) 42.5(тип.)

12.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

37.0

3.4~3.6

10.0

4.5

1.9(мак.)

MGFC42V3742

41.5(мин.) 42.5(тип.)

9.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

3.7~4.2

10.0

4.5

1.9(мак.)

MGFC42V4450

41.5(мин.) 42.5(тип.)

9.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

32.0

4.4~5.0

10.0

4.5

1.9(мак.)

MGFC42V5258

41.5(мин.) 42.5(тип.)

8.0(мин.)

31.0

5.2~5.8

10.0

4.5

1.9(мак.)

MGFC42V5964

41.5(мин.) 42.5(тип.)

8.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

31.0

5.9~6.4

10.0

4.5

1.6(тип.) 1.9(мак.)

MGFC42V5964A

41.5(мин.) 42.5(тип.)

8.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

33.0

5.9~6.4

10.0

4.5

1.6(мак.)

MGFC42V6472

41.5(мин.) 42.5(тип.)

7.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

30.0

6.4~7.2

10.0

4.5

1.9(мак.)

MGFC42V6472A

41.5(мин.) 42.5(тип.)

7.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

31.0

6.4~7.2

10.0

4.5

1.6(мак.)

MGFC42V7785A

41.0(мин.) 42.0(тип.)

6.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

28.0

7.7~8.5

10.0

4.5

1.6(мак.)

MGFC44V3436

43.0(мин.) 44.0(тип.)

11.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

36.0

3.4~3.6

10.0

6.4

1.2(мак.)

MGFC44V5964

43.0(мин.) 44.0(тип.)

8.0(мин.)

-42.0(мин.)

33.0

5.9~6.4

10.0

6.4

1.6(мак.)

MGFC44V6472

43.0(мин.) 44.0(тип.)

7.0(мин.)

-42.0(мин.)

31.0

6.4~7.2

10.0

6.4

1.6(мак.)

MGFC45B3436B

10.0

3.4~3.6

0.8

1.9

MGFC45V4450A

44.0(мин.) 45.0(тип.)

9.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

34.0

4.4~5.0

10.0

8.0

0.8(тип.) 1.0(мак.)

MGFC45V5964A

44.0(мин.) 45.0(тип.)

8.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

33.0

5.9~6.4

10.0

8.0

0.8(тип.) 1.0(мак.)

MGFC45V6472A

44.5(мин.) 45.0(тип.)

7.0(мин.)

-42.0(мин.) -45.0(тип.)

35.0

6.4~7.2

10.0

8.0

1.0(мак.)

MGFC47A4450

46.0(мин.) 47.0(тип.)

9.5(мин.)

40.0

4.4~5.0

10.0

9.8

0.8(тип.) 0.9(мак.)

MGFC47B3436B

9.0

-45.0

3.4~3.6

1.5

1.2

MGFC47V5864

46.0(мин.) 47.0(тип.)

8.5(мин.)

35.0

5.8~6.4

10.0

9.8

0.8(тип.) 0.9(мак.)

GaAs: X/Ku Band Internally Matched Power GaAs FET

Тип

Скачать

Output Power at 1dB Gain Compression (dBm)

Po (dBm)

Linear Power Gain (dB)

3rd Order IM Distortion (dBc)

Power Added Efficiency (%)

Частота (ГГц)

Drain-Source Voltage (V)

Drain Current (A)

Inverter cir thermal resistance (Cel/W)

S
парам.

Прим.

MGFK38A3745

37.0(мин.) 38.0(тип.)

7.0(мин.)

30.0

13.75~14.5

10.0

1.5

3.6(тип.) 4.0(мак.)

MGFK41A4045

40.0(мин.) 41.0(тип.)

6.0(мин.)

25.0

14.0~14.5

10.0

3.0

1.8(тип.) 2.2(мак.)

MGFK44A4045

43.0(мин.) 44.0(тип.)

5.0(мин.)

17.0

14.0~14.5

10.0

6.0

1.2(тип.) 1.5(мак.)

MGFX36V0717

34.5(мин.) 36.0(тип.)

7.0(мин.)

28.0

10.7~11.7

10.0

1.2

5.5(мак.)

MGFX39V0717

37.5(мин.) 39.0(тип.)

6.0(мин.)

26.0

10.7~11.7

10.0

2.4

3.5(мак.)

GaAs: GaAs Hybrid IC for Mobile Phone

Тип	fL (MHz)	fH (MHz)	Po (dBm)	VD (V)	VG (V)	Eff (%)	Pin (dBm)	Прим.
BA01261	824	849	26.5	3.5	-	39	-1	-
BA01262	1920	1980	26.5	3.5	-	42	-1.0	-
BA01263	1750	1785	26.5	3.5	-	43	-0.5	-
BA012B6	824/1920	849/1980	26.5	3.5	-	-	-	Dual band PA (Band1 & Band5) 3mm x 4.5mm
BA012B8	824/1750/1920	849/1785/1980	26.5	3.5	-	-	-	Triple band PA (Band1 & 5 & 9) 3mm x 4.5mm
BA012D1	1920	1980	28.25	3.4	-	-	-	LTE compliant 3mm x 3mm with coupler 2bit gain control function
BA012D2	824	849	28.25	3.4	-	-	-	LTE compliant 3mm x 3mm with coupler 2bit gain control function
BA012D3	1427.9	1462.9	28.5	3.4	-	-	-	LTE compliant 3mm x 3mm with coupler 2bit gain control function
BA012D4	1850	1910	28.6	3.4	-	-	-	LTE compliant 3mm x 3mm with coupler 2bit gain control function
BA012D5	880	915	28.5	3.4	-	-	-	LTE compliant 3mm x 3mm with coupler 2bit gain control function
BA012D6	1710	1785	28.4	3.4	-	-	-	LTE compliant 3mm x 3mm with coupler 2bit gain control function
BA012F1	1920	1980	28.25	3.4	-	45	-	3mm x 3mm with coupler 1bit gain control function
BA012F2	1850	1910	28.25	3.4	-	45	-	3mm x 3mm with coupler 1bit gain control function
BA012F3	1710	1785	28.25	3.4	-	45	-	3mm x 3mm with coupler 1bit gain control function
BA012F5	824	849	28.25	3.4	-	45	-	3mm x 3mm with coupler 1bit gain control function
BA012F8	880	915	28.25	3.4	-	45	-	3mm x 3mm with coupler 1bit gain control function

GaAs: GaAs Amplifier for Wireless Access

Тип	Скачать	fL (MHz)	fH (MHz)	Po (dBm)	VD (V)	VG (V)	Eff (%)	Pin (dBm)	Прим.
MGFS36E2325		2300	2500	27	6	2.85	11	-6	G
MGFS36E2527		2500	2700	27	6	2.85	12	-6	G
MGFS36E3436A		3400	3600	27	6	2.85	11	-3	G
MGFS39E2527	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MGFS39E2527A		2500	2700	30	6	2.85	14	-12	G
MGFS39E3336		3300	3600	30	6	2.85	14	-13	G